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晶体管与场效应管的区别
．场效应管只有多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。
场效应管（FET）是一种电压控制器件，其中栅极几乎不吸取电流。相反，晶体管（BJT）是一种电流控制器件，其基极需要吸取一定的电流。因此，在信号源额定电流极小的情况下，应选择场效应管。 场效应管具有多子导电特性。而晶体管的两种载流子——电子和空穴——都参与导电。
场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。
场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流，而晶体管是电流控制器件，基极必须取一定的电流。因此，丢信号源额定电流极小的情况，应选用场效应管。场效应管是多子导电。而晶体管的两种载流子均参与到点。
三极管与场效应管区别是什么?
指代不同 三极管：全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。场效应管：是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。原理不同 三极管：把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
区别一：场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。而三极管通过电流的大小控制输出，输入要消耗功率。场效应管是通过输入电压控制输出，不消耗功率。区别二：场效应管和三极管的是电压和电流控制，但这都是相对的。电压控制的也需要电流，电流控制的也需要电压，只是相对要小而已。
场效应管是电压控制元件，而三极管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管。而在信号源电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应用三极管。场效应管靠多子导电，管中运动的只是一种极性的载流子；三极管既用多子，又利用少子。
场效应管的作用
1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以用作可变电阻。场效应管可以方便地用作恒流源。场效应管可以用作电子开关。
2、场效应管的作用：放大信号。这是场效应管的主要功能之一。由于场效应管具有较高的输入阻抗，它可以有效地放大输入信号，使其输出信号具有更大的功率和幅度。在通信、音频和视频处理等领域，场效应管的放大作用非常关键。控制电流。场效应管作为电压控制器件，可以通过控制其输入端的电压来调节输出电流。
3、场效应管是一种电子设备，主要作用是控制和放大电流。它具有三个主要功能： 信号放大：场效应管可以将弱信号放大为较大的信号。当输入信号施加在场效应管的栅极上时，通过调节栅极电压，可以控制源极到漏极的电流，从而实现信号的放大。
4、场效应管的作用：可运用于放大，因为场效应管放大器的输入阻抗很高，因而耦合电容可以容量较小，无须应运电解电容器；其很高的输入阻抗特别适合作阻抗转换，常用于多级放大器的输入级作阻抗转换；可以用于可变电阻；可以便利地用于恒流源；可以用于电子开关。
场效应和MOS管有什么区别呢?
主体不同 场效应：V型槽MOS场效应管。是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。MOS管：金属-氧化物-半导体型场效应管属于绝缘栅型。
主体不同：场效应管是一种半导体器件，它通过改变电场来控制电流的流动。其中，V型槽MOS场效应管是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。MOS管，全称为金属氧化物半导体场效应管，是绝缘栅型的一种场效应管。
结构不同，场效应管通常有三个主要端子：源极、漏极和栅极，MOS管使用金属-氧化物层来控制其导电通道。工作原理不同，场效应管基于电场控制导电通道，MOS管使用电场来控制金属-氧化物层和半导体之间的通道。
结构不同、性能特点不同。结构不同：FET（场效应管）包括三个部分源极、栅极和漏极，栅极由绝缘体（二氧化硅或氧化铝）覆盖，可以有效地将源极和漏极分开，而MOS管的结构类似FET，但没有源极和漏极之分，只有一个电极（源极）接地。